碳化硅（Silicon Carbide，简称SiC）作为一种先进的半导体材料，为半导体技术的突破性发展提供了巨大的潜力。思开半导体的总体目标是将碳化硅MOSFETs低RDS(on)与能使器件在安全氧化层场强条件下运行的栅极驱动模式相结合。因此，决定采用基于沟槽的器件。从具有高缺陷密度的平面删转向其他更有利的表面方向，后者可以在低氧化层场强下获得低沟道电阻。这些边界条件是利用硅功率半导体领域质量保证方法的基础，目的是保证工业和汽车应用中预期的FIT率。