1200V-1350V IGBT 概览

思开半导体提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，思开半导体提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同时，该系列产品具备良好的短路能力，出色的低电磁干扰特性，可靠的开关速度控制力，为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。

该产品广泛应用: BMS、新能源、电机控制、适配器快充、光伏逆变、UPS 、充电桩、移动快充、消费类电子、通讯电源等领域。