IGBT 概览
思开半导体提供击穿电压等级范围为600V至1350V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Injection Enhance, IE）与场截止（Field Stop，FS）技术，思开半导体IGBT系列产品在提供行业先进的导通压降（Vce），并且在导通损耗与关断损耗（Eoff）之间做出了良好权衡。出色的导通压降与极短的拖尾电流为设计师在优化系统效率时提供有力的帮助。此外，思开半导体600V至650V IGBT产品具备良好的短路性能，为电机驱动领域处理突发事件提供充足的裕量。
该产品广泛应用: BMS、新能源、电机控制、适配器快充、光伏逆变、UPS 、充电桩、移动快充、消费类电子、通讯电源等领域。