1200V-1350V IGBT 概览
思开半导体提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化,思开半导体提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡,能够大幅度提高系统效率。同时,该系列产品具备良好的短路能力,出色的低电磁干扰特性,可靠的开关速度控制力,为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。
该产品广泛应用: BMS、新能源、电机控制、适配器快充、光伏逆变、UPS 、充电桩、移动快充、消费类电子、通讯电源等领域。
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