‌SJ MOS是Super Junction MOSFET的简称，它是一种特殊的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）结构‌。SJ MOS的设计核心在于通过在D端（漏极）和S端（源极）之间交替排列多个垂直的PN结，从而在保持高电压的同时实现低导通电阻。‌

思开半导体推出的超结MOSFET系列新品，相较于传统的功率MOSFET，SJMOSFET具有传导损耗低、电流驱动能力大、栅极电荷低、开启电压低、出色的非钳位感性开关能力、百分之百的雪崩能量击穿测试等优点，可满足国内电源客户对高效率、节能环保、小型化、高性价比等方面的要求。